英特爾在《自然》雜志發(fā)表題為《檢測300毫米自旋量子比特晶圓上的單電子器件》的研究論文，展示了領先的自旋量子比特均勻性、保真度和測量數(shù)據(jù)。這項研究為硅基量子處理器的量產(chǎn)和持續(xù)擴展（構建容錯量子計算機的必要條件）奠定了基礎。

英特爾的量子硬件研究人員開發(fā)了一種300毫米低溫檢測工藝，使用互補金屬氧化物半導體（CMOS）制造技術，在整個晶圓上收集有關自旋量子比特器件性能的大量數(shù)據(jù)。

量子比特器件良率的提升，加上高通量的測試工藝，讓英特爾的研究人員能夠根據(jù)更多的數(shù)據(jù)分析均勻性，這是擴展量子計算機的重要一步。研究人員還發(fā)現(xiàn)，這些晶圓上的單電子器件在作為自旋量子比特運行時表現(xiàn)良好，門保真度達到了99.9%。就完全基于CMOS工藝制造的量子比特而言，這一保真度設立了業(yè)界領先水平。

自旋量子比特的尺寸較小，直徑約為100納米，因此密度高于其它類型的量子比特（如超導量子比特），從而能夠在相同尺寸的芯片上構建更復雜的量子處理器。英特爾使用了極紫外光刻（EUV）技術實現(xiàn)小尺寸自旋量子比特芯片的大批量制造。

用數(shù)百萬個均勻的量子比特實現(xiàn)容錯量子計算機，需要高度可靠的制造工藝。憑借在晶體管制造領域豐富的專業(yè)積累，英特爾走在行業(yè)前沿，利用先進的300毫米CMOS制造技術打造硅自旋量子比特。300毫米CMOS制造技術通常能夠在單個芯片上集成數(shù)十億個晶體管。

在這些研究成果的基礎上，英特爾希望繼續(xù)取得進展，使用這些技術添加更多互連層，以制造具有更高量子比特數(shù)和更多連接的2D陣列，并在工業(yè)制造流程中實現(xiàn)高保真的雙量子比特門（2-qubit gates）。在量子計算領域，英特爾未來的工作重點是通過下一代量子芯片繼續(xù)擴展量子器件和實現(xiàn)性能提升。